第一章习题第一章习题11．．设晶格常数为设晶格常数为aa的一维晶格，导带极小值附近能量的一维晶格，导带极小值附近能量EEcc(k)(k)和价带极大值附近和价带极大值附近能量能量EEVV(k)(k)分别为分别为：：EEcc==0220122021202236)(,)(3mkhmkhkEmk...

第一章第一章习题习题1．设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为：Ec=0220122021202236)(,)(3mkhmkhkEmkkhmkhV0m。试求：为电子惯性质量，nmaak314.0,1（1）禁带宽度;（2）导带底...

基于聚合物绝缘层有机场效应管特性的研究摘要有机场效应晶体管(OFETs)是在场效应晶体管(FieldEffectTransistor，FET)中使用有机材料的一种新型电子器件，这种器件是通过电场去控制导电沟道形状从而达到控制半导体材料中载流子的沟道的导电性的目的。O...